Группа учёных, впервые экспериментально доказала сегнетоэлектрический эффект, открывающий новые горизонты в области материаловедения; параллельно с этим был разработан прототип полевого транзистора на основе нанопроволоки из теллура с плотностью записи в 1,9 Тбайта на квадратный сантиметр. Данный эксперимент несомненно станет определяющим фактором при создании энергонезависимой памяти и повлияет на нейроморфные вычисления, которые в перспективе могут кардинально изменить подход к разработке и производству современных электронных устройств и т.д.